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電介質損耗測試的意義

更新時間:2024-03-20      點擊次數(shù):688

介質在電壓作用下有能量損耗:一種是由極化引起的損耗,極性介質中偶極子轉動有能量損耗,在多層介質中也會產生夾層介質極化引起損耗;另一種是電導引起的損耗。

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直流電壓作用下,由于無周期性的極化,因此損耗只是由電導引起,用體積電阻率和表面電阻率兩個物理量已足夠表達,故直流電壓下不需再引入介質損耗這個概念。但在交流電壓作用下,除電導損耗外,還有由于周期性的極化而引起的能量損耗:因此,需引入一新的物理量來表示,如圖2-10所示。圖2-10(b)為介質兩端施加交流電壓時的電壓電流向量圖(取電壓為基準量),由于介質中有損耗,所以電流不是純電容性的電流,而是包含有功和無功兩個分量,即

image.png         (2-4)

所以電源供給的視在功率為 

image.png    (2-5)

由圖2-10(b)功率三角形可見

image.png (2-6)

用介質損耗P表示介質品質好壞是不方便的,因為P值和試驗電壓、試品尺寸等因素有關,不同的試品難以互相比較,故以介質損耗角正切tanδ(δ角為功率因數(shù)角φ的余角)來判斷介質的品質:

有損耗的介質可以用一個理想電容器和一個有效電阻的并聯(lián)或串聯(lián)等值電路來表示。圖2-11是用電阻、電容并聯(lián)等值電路,從向量圖上可看出

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如用串聯(lián)等值電路時,由于絕緣的tanδ都很小,損耗的表達式與(2-8)相同。

該等值電路只有計算上的意義,并不能確切地反映物理過程。如果損耗主要是電導引起的,則常用并聯(lián)等值電路。如果損耗主要由介質極化及連接導線的電阻等引起,則常用串聯(lián)等值電路。但應注意,同一介質用不同等值電路表示時,其等值電容是不相同的。

氣體介質在強電場作用下,除了電導、極化兩種損耗外,還有氣體游離引起的損耗。當電場強度不足以產生碰撞游離時,氣體中損耗是由電導引起的,損耗極小(tanδ4×10-8)。所以常用氣體(如空氣、N2、CO2SF2)作為標準電容器的介質。但當外施電壓超過起始電壓U0時,氣體介質會發(fā)生局部放電,損耗刷增,如圖2-12所示.這種現(xiàn)象在高壓輸電線上表現(xiàn)得極為突出,稱電暈損耗。

固體介質中含有氣泡時,在高壓下也會發(fā)牛游離,并使湖體介質逐漸劣化。所以經常采用浸油、充膠等措施來消除氣泡。.對于固體介質和金屬電極接觸處的空氣隙,則經常采用短路的辦,使氣隙內的電場強度降為零。例如35kV瓷內壁上半導體,通過彈性鋼片與導桿連;高壓電機定子線圈內絕緣外包半導層后,可嵌入槽內等。

中性或弱極性液體的擬耗主要來源于電導,故損耗較小。其損耗與溫度的關系也和電導相似。

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極性液體(如蓖麻油、氯化聯(lián)苯等)以及極性與中性液體的混合物(如電纜膠是松香和變壓器油的混合物)都具有電導和極化兩種損耗,故損耗和溫度、頻率都有關系,如圖2-13所示。當溫度t≤t1時,由于溫度低,故電導和極化損耗都很小。隨著溫度升高電導增加,電導損耗也增大;同時由于液體黏度是隨溫度上升而減少,故偶極子的極化增強,極化損耗也因而增加。所以在該段內tanδ就隨溫升高而上升,直到t= t1時達極大值。在t1tt2范圍內,由于分子熱運動加快,妨礙偶極子在電場作用下作有規(guī)則的排列,極化強度反而減弱,所以極化損耗就隨溫度升高而減小,由于這一段內極化損耗的減小比電導損耗的增加更快,故總的看來tanδ隨溫度升高而下降。在t= t2tanδ出現(xiàn)一級小值。tt2后,化損耗已不起主要作用,電導損耗決定著總的損耗,tanδ重新隨溫度上升而增加,

當頻率增加時,tanδ的極大值出現(xiàn)在較高的溫度下,這是因為頻率高時,偶極子的轉動來不及充分進行。要使極化進行充分,就必須減小黏度,即升高溫度。

固體介質的情況比較復雜,通常將其分為分子式結構、離子式結構、不均勻結構和強極性電介質等四類。強極性電介質在高壓設備上是不采用的。

分子式結構有中性和極性兩種。中性分子式結構如純石蠟、聚苯乙烯、聚乙烯、聚四氟乙烯等,其損耗主要由電導引起,這些介質的電導極小,故介質損耗非常小,在高頻下也可使用。極性的纖維性材料有紙、纖維板等和含有極性基的聚合物,如聚氯乙烯,有機玻璃、酚醛樹脂、硬橡膠等。此類介質的tanδ與溫度、頻率的關系與極性液體相似,tanδ值較大,高頻下更為嚴重。

離子式結構的介質,其tanδ與結構特性有關。結構緊密的離子晶體,且不含有使晶格畸變的雜質時,主要是電導式損耗,故tanδ極小,如云母云母不僅tanδ小,而且電氣強度高、耐熱性能好、耐游離性能也好,故是優(yōu)良的絕緣材料,在高頻下也可使用。

在結構不緊密的離子結構中,有離子松弛式極化現(xiàn)象(介質中聯(lián)系不緊密的離能在外界電場作用下,從非定向的熱運動中得到沿電場方向的位移),這種極化同偶極子轉向極化相似,也是有損耗的。所以這類介質的tanδ值較大,玻璃、陶瓷就屬于這一類,但隨成分和結構的不同,tanδ也相差懸殊。

不均勻結構介質在工程上較常遇到,如電機絕緣中使用的云母制品和廣泛使用的油浸紙、膠紙絕緣。它們的損耗決定其中各成分的性能和數(shù)量間的比。

討論介質損耗的意義在于:;

(1)在設計絕緣結構時,要注總材料的tanδ值,如tanδ值過大則會引起嚴重發(fā)熱,使材料劣化、導致熱擊穿。

(2)在進行沖測量時,其連接電纜絕緣的tanδ必須要小,否則沖擊波在其中傳播時波形將發(fā)生畸變,影響測量精度。

(3)在絕緣預防性試驗中,tanδ量是一基本項目,絕緣受潮或劣化時,tanδ急劇增加,絕緣內部發(fā)生游離可根據tanδ=f(U)的曲線(如圖2-12)來判斷。

(4)用做絕緣材料的介質,tanδ小。用于其他場合,介質的發(fā)熱有時可能成為有用。


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