概述：
介電常數(shù)測試儀（阻抗分析儀）器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計(jì)算機(jī)控制儀器，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定、標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點(diǎn)自動設(shè)定、諧振點(diǎn)自動搜索、Q值量程自動轉(zhuǎn)換、數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至0低，并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時更為方便，測量時更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。
介電常數(shù)測試儀（阻抗分析儀）是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)。
適用領(lǐng)域：
該儀器可以用于科研機(jī)關(guān)，學(xué)校，例如一些科研院所，大專院?；蛴?jì)量測試部門的實(shí)驗(yàn)室需要用介電常數(shù)測試儀對絕緣材料的介電常數(shù)進(jìn)行測試；同時也適用于工廠或單位，例如一些工廠對無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用進(jìn)行研究，另外在電力、電工、化工等領(lǐng)域，如：電廠、電業(yè)局實(shí)驗(yàn)所、變壓器廠、電容器廠、絕緣材料廠、煉油廠等單位對固體及液體絕緣材料的介質(zhì)損耗和相對介電常數(shù)ε的質(zhì)量檢測等等。
技術(shù)參數(shù)：
信號源頻率范圍：DDS數(shù)字合成 10KHz-70MHz
Q測量范圍：1-1000自動/手動量程
信號源頻率覆蓋比：6000:1
Q分辨率： 4位有效數(shù),分辨率0.1
信號源頻率精度：3×10-5 ±1個字,6位有效數(shù)
Q測量工作誤差：<5%
電感測量范圍：15nH-8.4H,4位有效數(shù),分辨率0.1nH
調(diào)諧電容：主電容30-500PF
電感測量誤差：<5%
調(diào)諧電容誤差和分辨率：±1.5P或<1%
標(biāo)準(zhǔn)測量頻點(diǎn)：全波段任意頻率下均可測試
Q合格預(yù)置范圍：5-1000聲光提示
諧振點(diǎn)搜索：自動掃描
Q量程切換：自動/手動
諧振指針：LCD顯示
LCD顯示參數(shù)：F,L,C,Q,波段等
夾具工作特性
1.平板電容器：
極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm可選
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值：≤4×10-4 (1MHz)
4.測微桿分辨率：0.001mm
介電常數(shù)與耗散因數(shù)間的關(guān)系
介電常數(shù)又稱電容率或相對電容率， 是表征電介質(zhì)或絕緣材料電 性能的一個重要數(shù)據(jù)，常用 ε 表示。 介質(zhì)在外加電場時會產(chǎn)生感應(yīng) 電荷而削弱電場，原外加電場(真空中)與最終介質(zhì)中電場比值即為介 電常數(shù)。其表示電介質(zhì)在電場中貯存靜電能的相對能力， 例如一個電 容板中充入介電常數(shù)為 ε 的物質(zhì)后可使其電容變大 ε 倍。介電常數(shù)愈 小絕緣性愈好。如果有高介電常數(shù)的材料放在電場中， 場的強(qiáng)度會在 電介質(zhì)內(nèi)有可觀的下降。介電常數(shù)還用來表示介質(zhì)的極化程度， 宏觀 的介電常數(shù)的大小， 反應(yīng)了微觀的極化現(xiàn)象的強(qiáng)弱。氣體電介質(zhì)的極 化現(xiàn)象比較弱，各種氣體的相對介電常數(shù)都接近1 ，液體、固體的介 電常數(shù)則各不相同，而且介電常數(shù)還與溫度、電源頻率有關(guān)
有些物質(zhì)介電常數(shù)具有復(fù)數(shù)形式， 其實(shí)部即為介電常數(shù)， 虛數(shù)部 分常稱為耗散因數(shù)。
通常將耗散因數(shù)與介電常數(shù)之比稱作耗散角正切， 其可表示材料 與微波的耦合能力， 耗散角正切值越大， 材料與微波的耦合能力就越 強(qiáng)。例如當(dāng)電磁波穿過電解質(zhì)時，波的速度被減小，波長也變短了。
介質(zhì)損耗是指置于交流電場中的介質(zhì)， 以內(nèi)部發(fā)熱的形式表現(xiàn)出 來的能量損耗。介質(zhì)損耗角是指對介質(zhì)施加交流電壓時， 介質(zhì)內(nèi)部流 過的電流相量與電壓向量之間的夾角的余角。介質(zhì)損耗角正切是對電 介質(zhì)施加正弦波電壓時， 外施電壓與相同頻率的電流之間相角的余角 δ 的正切值--tg δ. 其物理意義是：每個周期內(nèi)介質(zhì)損耗的能量//每個
周期內(nèi)介質(zhì)存儲的能量。
介電損耗角正切常用來表征介質(zhì)的介電損耗。介電損耗是指電 介質(zhì)在交變電場中, 由于消耗部分電能而使電介質(zhì)本身發(fā)熱的現(xiàn)象。 原因是電介質(zhì)中含有能導(dǎo)電的載流子,在外加電場作用下,產(chǎn)生導(dǎo)電電 流,消耗掉一部分電能,轉(zhuǎn)為熱能。任何電介質(zhì)在電場作用下都有能量
損耗，包括由電導(dǎo)引起的損耗和由某些極化過程引起的損耗。
用 tg δ作為綜合反應(yīng)介質(zhì)損耗特性優(yōu)劣的指標(biāo)， 其是一個僅僅取 決于材料本身的損耗特征而與其他因素?zé)o關(guān)的物理量， tgδ的增大意 味著介質(zhì)絕緣性能變差， 實(shí)踐中通常通過測量 tgδ來判斷設(shè)備絕緣性 能的好壞。
由于介電損耗的作用電解質(zhì)在交變電場作用下將長生熱量， 這些 熱會使電介質(zhì)升溫并可能引起熱擊穿， 因此， 在絕緣技術(shù)中， 特別是 當(dāng)絕緣材料用于高電場強(qiáng)度或高頻的場合，應(yīng)盡量采用介質(zhì)損耗因 數(shù)， 即電介質(zhì)損耗角正切 tgδ較低的材料。但是， 電介質(zhì)損耗也可用 作一種電加熱手段，即利用高頻電場(一般為0.3--300兆赫茲)對介 電常數(shù)大的材料(如木材、紙張、陶瓷等) 進(jìn)行加熱。這種加熱由于 熱量產(chǎn)生在介質(zhì)內(nèi)部， 比外部加熱速度更快、熱效率更高， 而且熱均 勻。頻率高于300兆赫時，達(dá)到微波波段，即為微波加熱(家用微波 爐即據(jù)此原理)。
在絕緣設(shè)計(jì)時， 必須注意材料的 tgδ值。若 tgδ過大則會引起嚴(yán) 重發(fā)熱，使絕緣材料加速老化，甚至導(dǎo)致熱擊穿。
一下例舉一些材料的 ε 值：
石英-----3.8
絕緣陶瓷-----6.0
紙------70
有機(jī)玻璃------2.63
PE-------2.3
PVC--------3.8
高分子材料的 ε 由主鏈中的鍵的性能和排列決定
分子結(jié)構(gòu)極性越強(qiáng)， ε 和 tg δ越大。
非極性材料的極化程度較小， ε 和 tg δ都較小。
當(dāng)電介質(zhì)用在不同場合時對介電常數(shù)與耗散因素的大小有不同 的要求。做電容介質(zhì)時 ε 大、 tg δ??；對航空航天材料而言， ε 要小 tg δ要大。
另外要注意材料的極性越強(qiáng)受濕度的影響越明顯。主要原因是高 濕的作用使水分子擴(kuò)散到高分子的分子之間， 使其極性增強(qiáng)； 同時潮 濕的空氣作用于塑料表面， 幾乎在幾分鐘內(nèi)就使介質(zhì)的表面形成一層 水膜， 它具有離子性質(zhì)， 能增加表面電導(dǎo)， 因此使材料的介電常數(shù)和 介質(zhì)損耗角正切 tgδ都隨之增大。故在具體應(yīng)用時應(yīng)注意電介質(zhì)的周 圍環(huán)境。
電介質(zhì)在現(xiàn)代生活中經(jīng)常被用到， 而介電常數(shù)與耗散因素是電介 質(zhì)的兩個重要參數(shù)， 根據(jù)不同的要求， 應(yīng)當(dāng)選用具有不用介電常數(shù)與 耗散因數(shù)的材料， 以達(dá)到最佳的效果。同時還應(yīng)當(dāng)注意外界因素對介 電常數(shù)與耗散因數(shù)的影響。
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